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产品选型
30-150V小体积大电流DFN3*3-8、TO-252、SOP-8、SOT23-3、SOT89-3全系列NMOS 产品不断更新,请跟我司销售员联系
不同的mos管特点不一样,简单描述如下:
平面mos:
优点:EAS雪崩等参数比较大,很耐电流冲击。缺点是:结电容等非常大,开关损耗非常大。驱动电流比较大,不好驱动。
SGT工艺mos:
优点:Qg、Cis等参数很小,开关损耗非常小,适合高频开关,特别是电流上来之后。驱动电压低,驱动电流小,非常好驱动,对芯片驱动要求不高。
缺点:EAS雪崩等参数比较小。
沟槽mos:
则是介于平面mos管跟SGTmos之间。
由于mos管的损耗=导通内阻损耗+mos管开关损耗,同等内阻的情况下,SGT工艺的mos管结电容Qg跟Ciss最小,所以开关损耗是非常小的,高频大电流的情况下
mos管开关损耗可能占整体损耗的90%。mos管另外需要关注开启电压Vth、Vgs耐压等。
mos管选型建议:
1、需要打电流冲击的,普通逻辑开关或者工作频率很低比如50KHZ以内的,电流非常大的情况比如实际工作6A以上的话一般建议选择平面m0s管。6A以内的应用,大电
流沟槽型mos管即可。
2、需要高频开关,比如500kHZ以上的,则需要选择沟槽型或者SGT型的mos管,开关损耗占比非常小。
3、普通的PWM控制芯片搭配,应用于控制脉宽调制的,100-300KHZ芯片开关工作频率的话,可以选择沟槽型或者SGT型号,根据电流大小及开关频率决定。此应用领
域相对来说SGT的产品性能会好很多,但是价格相对高些。mos管的损耗=导通内阻损耗+mos管开关损耗。
-些对空间体积要求非常好的应用,一般选择小体积超薄封装DFN的mos管,特别是电流较大工作频率较高的时候。
4、些对空间体积要求非常好的应用,一般选择小体积超薄封装DFN的mos管,特别是电流较大工作频率较高的时候。
5、我司的mos管产品不适合电动车控制器比如80V100A、150A、200A那种等需要打大电流冲击的应用领域。最适合用的领域就是芯片+mos管的驱动方式、5A以内的
普通逻辑开关或者高频开关应用,
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